日本CRESTEC电子束曝光系统（EBL）

 一、公司介绍

日本Crestec公司在东京成立于1995年，我们交付了EB光刻系统，遍布全球50多个客户。我们也提供EB代工服务。

部分客户包括：

湖南大学（中国）、中国科学院上海应用物理研究所（中国）、西安交通大学（中国）、香港城市大学（香港）、工业技术研究院 (ITRI)（台湾）、产业技术综合研究所 (AIST) （日本）、东京大学（日本）、丰田技术研究所 （日本）、丰桥工业大学（日本）、东北大学（日本）、三重大学（日本）、大阪大学（日本）、东京工业大学（日本）、理工大学（PTU-日本）、富山县立大学（日本）、加州大学伯克利分校（美国）、Rubio Pharma y Asociados and RD Research & Technology（墨西哥）、剑桥大学（英国）、巴伊兰大学（以色列）、阿卜杜拉国王科技大学（沙特阿拉伯）、莫斯科物理技术学院（俄罗斯）、萨拉托夫国立大学（俄罗斯）、ICFO – 光子科学研究所（西班牙）、马德里理工大学（西班牙）、CNR 莱切（意大利）、卡坦扎罗大希腊大学（意大利）、海得拉巴大学（印度）

二、日本CRESTEC电子束光刻系统（EBL）

纳米光刻技术在微纳电子器件制作中起着关键作用,而电子束光刻在纳米光刻技术制作中是最好的方法之一。日本CRESTEC公司为21世纪先进纳米科技提供尖端 的电子束纳米光刻（EBL）系统，或称电子束直写（EBD）、电子束爆光系统。 


型号包括CABL-9000C系列、CABL-9000TF系列、8000TF系列、CABL-4200LB及CABL-4200LB。其中CABL-9000C系列最小线宽可达8nm，最小束斑直径2nm，套刻精度 20nm(mean+2σ)，拼接精度 20nm(mean+2σ)。

技术参数：
1.最小线宽：小于10nm（8nm available) 
2.加速电压：5-50kV 
3.电子束直径：小于2nm 
4.套刻精度：20nm(mean+2σ) 
5.拼接精度：20nm(mean+2σ) 
6.加工晶圆尺寸：4-8英寸(standard)，12英寸(option) 
7.描电镜分辨率：小于2nm

主要特点：
1.采用高亮度和高稳定性的TFE电子枪 
2.出色的电子束偏转控制技术 
3.采用场尺寸调制技术，电子束定位分辨率（address size)可达0.0012nm 
4.采用轴对称图形书写技术，图形偏角分辨率可达0.01mrad 
5.应用领域广泛，如微纳器件加工，Si/GaAs 兼容工艺，研究用掩膜制造，纳 米加工（例如单电子器件、量子器件制作等），高频电子器件中的混合光刻（Mix & Match），图形线宽和图形位移测量等。